2022年12月15日美國(guó)這對(duì)中國(guó)高新科技產(chǎn)業(yè)的限制持續(xù)加碼,將長(zhǎng)江存儲(chǔ)和寒武紀(jì)等中國(guó)先進(jìn)科技企業(yè)列入“實(shí)體清單”中,這一舉措無(wú)疑是針對(duì)中國(guó)芯片技術(shù)領(lǐng)軍企業(yè),以此希望鎖死中國(guó)企業(yè)的科技升級(jí)路徑。但對(duì)于我國(guó)來(lái)說(shuō),危機(jī)便也意味著機(jī)會(huì),美國(guó)所擴(kuò)展的“實(shí)體清單”也意味著中國(guó)的科技發(fā)展指南。那么環(huán)境檢測(cè)設(shè)備行業(yè)該如何幫助芯片行業(yè)破冰呢?
芯片從設(shè)計(jì)到制造所涉環(huán)節(jié)是非常復(fù)雜的,從原料、光刻、封裝再到可靠性測(cè)試,是一個(gè)非常龐大復(fù)雜的系統(tǒng)工程,每一個(gè)環(huán)節(jié)都涉及精密尖端技術(shù),而美國(guó)打出的全面封鎖牌,“繞路走捷徑”的想法便是空談,因此我過(guò)必須下狠功夫跑通全產(chǎn)業(yè)鏈路。星拓環(huán)境在檢測(cè)芯片環(huán)境可靠性方面有著成熟的技術(shù)和經(jīng)驗(yàn),環(huán)境檢測(cè)設(shè)備的測(cè)試執(zhí)行能力位于領(lǐng)先地位。
芯片的環(huán)境可靠性測(cè)試該如何推進(jìn)呢?驗(yàn)證芯片的耐久力的核心手段是進(jìn)行環(huán)境測(cè)試,芯片制作主要包括:芯片設(shè)計(jì)、晶片制作、封裝制作、成本測(cè)試等幾個(gè)環(huán)節(jié)。這小小的一枚芯片只有經(jīng)過(guò)一系列嚴(yán)格測(cè)試鑒定和驗(yàn)收試驗(yàn),一切正常才可上市。下面我們就一起看看不同的環(huán)境檢測(cè)設(shè)備測(cè)試項(xiàng)目怎么做。
PCT:高壓蒸煮試驗(yàn) Pressure Cook Test (Autoclave Test)
目的:評(píng)估IC產(chǎn)品在高溫,高濕,高氣壓條件下對(duì)濕度的抵抗能力,加速其失效過(guò)程
測(cè)試設(shè)備:星拓PCT老化試驗(yàn)箱
測(cè)試條件:130℃,85%RH, Static bias,15PSIG(2 atm)
失效機(jī)制:化學(xué)金屬腐蝕,封裝密封性
參考標(biāo)準(zhǔn):JESD22-A102、EIAJED- 4701-B123
注意:HAST與THB的區(qū)別在于溫度更高,并且考慮到壓力因素,實(shí)驗(yàn)時(shí)間可以縮短,而PCT則不加偏壓,但濕度增大。
TCT:高低溫循環(huán)試驗(yàn)(Temperature Cycling Test )
目的:評(píng)估IC產(chǎn)品中具有不同熱膨脹系數(shù)的金屬之間的界面的接觸良率。方法是通過(guò)循環(huán)流動(dòng)的空氣從高溫到低溫重復(fù)變化
測(cè)試設(shè)備:星拓AH-系列高低溫濕熱試驗(yàn)箱
測(cè)試條件:條件一::-55℃~+125℃;條件二:-65℃ ~+150℃
失效機(jī)制:電介質(zhì)的斷裂,導(dǎo)體和絕緣體的斷裂,不同界面的分層
參考標(biāo)準(zhǔn):MIT-STD-883E Method 1010.7、JESD22-A104-A、EIAJED- 4701-B-131
TST:高低溫沖擊試驗(yàn)(Thermal Shock Test )
目的:評(píng)估IC產(chǎn)品中具有不同熱膨脹系數(shù)的金屬之間的界面的接觸良率。方法是通過(guò)循環(huán)流動(dòng)的液體從高溫到低溫重復(fù)變化。
測(cè)試設(shè)備:星拓AS-系列溫度沖擊試驗(yàn)箱
測(cè)試條件:條件一::-55℃~+125℃;條件二:-65℃ ~+150℃
失效機(jī)制:電介質(zhì)的斷裂,材料的老化(如bond wires), 導(dǎo)體機(jī)械變形
參考標(biāo)準(zhǔn): MIT-STD-883E Method 1011.9、JESD22-B106、EIAJED- 4701-B-141
注意:TCT與TST的區(qū)別在于TCT偏重于package 的測(cè)試,而TST偏重于晶園的測(cè)試
HTST:高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)(High Temperature Storage Life Test )
目的:評(píng)估IC產(chǎn)品在實(shí)際使用之前在高溫條件下保持幾年不工作條件下的生命時(shí)間
測(cè)試設(shè)備:星拓BIR-系列高溫老化試驗(yàn)箱
測(cè)試條件:150℃
失效機(jī)制:化學(xué)和擴(kuò)散效應(yīng),Au-Al 共金效應(yīng)
參考標(biāo)準(zhǔn):MIT-STD-883E Method 1008.2、JESD22-A103-A、EIAJED- 4701-B111
凡是敵人反對(duì)的,我們就要堅(jiān)決擁護(hù)。在美國(guó)嚴(yán)苛的打壓下,讓星拓環(huán)境檢測(cè)設(shè)備助力芯片行業(yè)楊帆起航,盡管面對(duì)驚濤駭浪,也始終鑒定潮水方向。星拓作為國(guó)家高新技術(shù)企業(yè),在環(huán)試設(shè)備行業(yè)技術(shù)沉淀20+年,國(guó)內(nèi)外2600+長(zhǎng)期合作客戶(hù),長(zhǎng)期環(huán)境可靠性測(cè)試設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)。若有任何環(huán)境檢測(cè)設(shè)備相關(guān)需求,可隨時(shí)聯(lián)系廣東星拓環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備廠家進(jìn)行咨詢(xún),星拓工程團(tuán)隊(duì)為您提供安全、可靠和易于操作的測(cè)試設(shè)備技術(shù)方案,助力驗(yàn)證產(chǎn)品品質(zhì)提升。